{"id":12027,"date":"2023-03-13T18:27:04","date_gmt":"2023-03-13T15:27:04","guid":{"rendered":"https:\/\/bestessayhomework.com\/tr\/?p=12027"},"modified":"2023-03-13T18:27:04","modified_gmt":"2023-03-13T15:27:04","slug":"elektron-isini-cvd-basim-teknolojileri-basim-teknolojileri-odevleri-basim-teknolojileri-odev-ucretleri-basim-teknolojileri-bolumu","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/bestessayhomework.com\/tr\/elektron-isini-cvd-basim-teknolojileri-basim-teknolojileri-odevleri-basim-teknolojileri-odev-ucretleri-basim-teknolojileri-bolumu\/","title":{"rendered":"Elektron I\u015f\u0131n\u0131 CVD \u2013 Bas\u0131m Teknolojileri \u2013 Bas\u0131m Teknolojileri \u00d6devleri \u2013 Bas\u0131m Teknolojileri \u00d6dev \u00dccretleri \u2013 Bas\u0131m Teknolojileri B\u00f6l\u00fcm\u00fc"},"content":{"rendered":"

Lazer CVD<\/span><\/strong><\/h3>\n

Lazer Kimyasal Buhar Biriktirme (LCVD), gaz halindeki reaktanlar\u0131 se\u00e7ici olarak kat\u0131 malzemelere d\u00f6n\u00fc\u015ft\u00fcrmek i\u00e7in bir lazerden gelen \u0131s\u0131y\u0131 kullanan bir DW i\u015flemidir. Baz\u0131 sistemlerde, \u00e7ok malzemeli yap\u0131lar olu\u015fturmak i\u00e7in farkl\u0131 zamanlarda k\u00fc\u00e7\u00fck bir reaktan odas\u0131na birden \u00e7ok gaz beslenebilir veya gradyan yap\u0131lar\u0131 olu\u015fturmak i\u00e7in de\u011fi\u015fen konsantrasyonlara sahip gaz kar\u0131\u015f\u0131mlar\u0131 kullan\u0131labilir. Bazen akan gaz jetleri, bir oday\u0131 gaz halindeki \u00f6nc\u00fc malzemelerle doldurmak yerine, lokalize bir gaz atmosferi yaratmak i\u00e7in kullan\u0131l\u0131r.<\/span><\/p>\n

Bir LCVD birikintisinin \u00e7\u00f6z\u00fcn\u00fcrl\u00fc\u011f\u00fc, lazer \u0131\u015f\u0131n\u0131 \u00e7ap\u0131, enerji yo\u011funlu\u011fu ve dalga boyu (alt tabaka \u00fczerindeki \u0131s\u0131t\u0131lm\u0131\u015f b\u00f6lgenin boyutunu do\u011frudan etkileyenler) ve ayr\u0131ca alt tabaka termal \u00f6zellikleri ile ilgilidir. Is\u0131t\u0131lm\u0131\u015f reaktif b\u00f6lgede bulunan gazlara ba\u011fl\u0131 olarak, kompozitler de dahil olmak \u00fczere bir\u00e7ok farkl\u0131 metal ve seramik biriktirilebilir. LCVD, \u00e7ok say\u0131da metal ve seramik yap\u0131ya ek olarak karbon fiberleri ve \u00e7ok katmanl\u0131 karbon yap\u0131lar\u0131 biriktirmek i\u00e7in kullan\u0131lm\u0131\u015ft\u0131r.<\/span><\/p>\n

Georgia Institute of Technology’de geli\u015ftirilen bir LCVD sistemi g\u00f6sterilmektedir. Bu tasar\u0131m, (\u00e7o\u011funlukla olduk\u00e7a a\u015f\u0131nd\u0131r\u0131c\u0131 ve\/veya biyolojik olarak zararl\u0131 olan) reaktan gaz\u0131 hareket kontrol\u00f6rlerinden ve di\u011fer mekanizmalardan ayr\u0131lm\u0131\u015f k\u00fc\u00e7\u00fck bir odaya hapseder.<\/span><\/p>\n

Bu k\u00fc\u00e7\u00fck, ayr\u0131lm\u0131\u015f reaksiyon odas\u0131, \u00e7ok malzemeli biriktirme i\u00e7in reaktif gaz malzemeleri aras\u0131nda h\u0131zl\u0131 bir \u015fekilde ge\u00e7i\u015f yapma yetene\u011fi ve donan\u0131m\u0131n korozyona kar\u015f\u0131 daha iyi korunmas\u0131 dahil olmak \u00fczere bir\u00e7ok avantaja sahiptir. Deponun termal ve boyutsal \u00f6zellikleri izlenerek, istenen geometri ve malzeme \u00f6zelliklerine sahip yataklar olu\u015fturmak i\u00e7in proses parametreleri kontrol edilebilir.<\/span><\/p>\n

LCVD sistemleri, grafit, grafoil, zirkonya, al\u00fcmina, tungsten ve silikon dahil olmak \u00fczere \u00e7e\u015fitli alt tabakalar \u00fczerine karbon, silisyum karb\u00fcr, bor, bor nitr\u00fcr ve molibden dahil olmak \u00fczere bir\u00e7ok malzeme t\u00fcr\u00fcn\u00fc biriktirebilir.<\/span><\/p>\n

Fiberlerin yan\u0131 s\u0131ra do\u011frudan yazma desenleri de ba\u015far\u0131yla biriktirildi. \u00c7ok \u00e7e\u015fitli malzemeler ve birikinti geometrileri, LCVD’yi daha fazla do\u011frudan yazma geli\u015fimi i\u00e7in uygun bir teknoloji haline getirir. LCVD, mikrotermal sprey ile en \u00e7ok kar\u015f\u0131la\u015ft\u0131r\u0131labilir, \u00e7\u00fcnk\u00fc metal ve seramik birikintileri, son i\u015flem olmaks\u0131z\u0131n do\u011frudan olu\u015fturulur, ancak termal spreyin do\u011fas\u0131nda bulunan “splat” geometrisi yoktur.<\/span><\/p>\n

LCVD’nin avantajlar\u0131, biriktirebilece\u011fi benzersiz malzemeler ve geometrilerdir. Bununla birlikte, LCVD, \u00e7o\u011fu DW yakla\u015f\u0131m\u0131na (\u00f6zellikle m\u00fcrekkep bazl\u0131 teknolojiler) k\u0131yasla \u00e7ok d\u00fc\u015f\u00fck bir biriktirme oran\u0131na ve nispeten y\u00fcksek bir sistem karma\u015f\u0131kl\u0131\u011f\u0131na ve maliyetine sahiptir.<\/span><\/p>\n

Y\u00fcksek s\u0131cakl\u0131kta biriktirme, i\u015flemin ba\u015fka bir dezavantaj\u0131 olabilir. Ek olarak, kontroll\u00fc atmosferli bir oda i\u00e7inde bulunan y\u00fczeylerde birikme ihtiyac\u0131, \u00f6nceden var olan daha b\u00fcy\u00fck yap\u0131lar \u00fczerinde birikme yapma kabiliyetini s\u0131n\u0131rlar.<\/span><\/p>\n

LCVD, tek ba\u015f\u0131na LCVD kullan\u0131m\u0131na k\u0131yasla yap\u0131lar\u0131 daha h\u0131zl\u0131 imal etmek i\u00e7in tozlar\u0131n katmanlar halinde biriktirilmesiyle birle\u015ftirilebilir. Bu durumda, buhar faz\u0131ndan olu\u015fturulan kat\u0131 malzeme, lazerin toz yata\u011f\u0131n\u0131 \u0131s\u0131tt\u0131\u011f\u0131 b\u00f6lgelerde toz halindeki malzemeyi birbirine ba\u011flamak i\u00e7in kullan\u0131l\u0131r.<\/span><\/p>\n

Bu i\u015flem, Se\u00e7ici Alan Lazer Biriktirme Buhar S\u0131zd\u0131rmas\u0131 (SALDVI) olarak bilinir. SALDVI’da in\u015fa oranlar\u0131, t\u00fcm yap\u0131n\u0131n yaln\u0131zca LCVD biriktirilmi\u015f malzemelerden \u00fcretildi\u011fi zamandan \u00e7ok daha y\u00fcksektir; ancak ortaya \u00e7\u0131kan yap\u0131lar g\u00f6zenekli olabilir ve do\u011fas\u0131 gere\u011fi kompozittir. LCVD ve SALDVI aras\u0131ndaki yap\u0131 oran\u0131 fark\u0131, ba\u011flay\u0131c\u0131 p\u00fcsk\u00fcrtme ile malzeme p\u00fcsk\u00fcrtme aras\u0131ndaki farka benzer.<\/span><\/p>\n

Odaklanm\u0131\u015f \u0130yon Demeti<\/span><\/strong><\/h3>\n

Odaklanm\u0131\u015f bir iyon \u0131\u015f\u0131n\u0131 (FIB), bir galyum metal kayna\u011f\u0131 bir tungsten i\u011fne ile temas ettirildi\u011finde ve \u0131s\u0131t\u0131ld\u0131\u011f\u0131nda olu\u015fturulan, iyonize galyum atomlar\u0131ndan olu\u015fan bir \u0131\u015f\u0131nd\u0131r. S\u0131v\u0131 galyum i\u011fneyi \u0131slat\u0131r ve g\u00fc\u00e7l\u00fc bir elektrik alan\u0131 iyonla\u015fmas\u0131na ve galyum atomlar\u0131n\u0131n sal\u0131nmas\u0131na neden olur. Bu iyonlar, elektrostatik lensler kullan\u0131larak k\u00fc\u00e7\u00fck bir ak\u0131\u015fta (birka\u00e7 nanometre kadar d\u00fc\u015f\u00fck bir nokta boyutuyla) h\u0131zland\u0131r\u0131l\u0131r ve odaklan\u0131r.<\/span><\/p>\n

Bir FIB, kavramsalla\u015ft\u0131rmada bir elektron \u0131\u015f\u0131n\u0131 kayna\u011f\u0131na benzer ve bu nedenle FIB, genellikle \u00e7ift \u0131\u015f\u0131nl\u0131 bir FIB taramal\u0131 elektron mikroskobu sisteminde oldu\u011fu gibi elektron \u0131\u015f\u0131nlar\u0131yla birle\u015ftirilir.<\/span>\u00a0Bir alt tabakaya \u00e7arpan y\u00fcksek enerjili galyum iyonlar\u0131 s\u0131\u00e7ratmaya ve atomlar\u0131n ayr\u0131lmas\u0131na neden olaca\u011f\u0131ndan, FIB i\u015flemesi kendi ba\u015f\u0131na yap\u0131ld\u0131\u011f\u0131nda y\u0131k\u0131c\u0131 olabilir.<\/span><\/p>\n

\n

Elektron<\/a> \u0131\u015f\u0131n kayna\u011f\u0131<\/span>
\nElektron \u0131\u015f\u0131n kaynak y\u00f6ntemi<\/span>
\nW crooks neyi buldu<\/span>
\nKat\u0131 hal kaynak y\u00f6ntemleri<\/span>
\nKatot \u0131\u015f\u0131nlar\u0131n\u0131n \u00f6zellikleri<\/span><\/p>\n

\n

Bu, FIB’nin bir nano i\u015fleme arac\u0131 olarak kullan\u0131lmas\u0131n\u0131 sa\u011flar. Bununla birlikte, p\u00fcsk\u00fcrtme etkileri ve galyum atomlar\u0131n\u0131n implantasyonu nedeniyle, i\u015fleme b\u00f6lgesinin yak\u0131n\u0131ndaki y\u00fczeyler, \u00e7\u0131kar\u0131lan malzemenin biriktirilmesi ve iyon implantasyonu ile de\u011fi\u015fecektir. Bu p\u00fcsk\u00fcrtme ve iyon yerle\u015ftirme, uygun \u015fekilde kontrol edilirse, belirli uygulamalar i\u00e7in de bir fayda sa\u011flayabilir.<\/span><\/p>\n

FIB kullanarak do\u011frudan yazma biriktirme, LCVD’ye benzer bir \u015fekilde m\u00fcmk\u00fcnd\u00fcr. FIB kayna\u011f\u0131n\u0131n, CVD gazl\u0131 \u00f6n maddelerinin mevcudiyetinde bir substrat \u00fczerinde taranmas\u0131yla, kat\u0131 malzemeler, substrat \u00fczerine biriktirilir (ve\/veya substrat\u0131n y\u00fczeyi i\u00e7ine implante edilir).<\/span><\/p>\n

Bu birikintiler, boyut ve \u00f6zellik \u00e7\u00f6z\u00fcn\u00fcrl\u00fc\u011f\u00fc a\u00e7\u0131s\u0131ndan mikron alt\u0131 olabilir. DW i\u00e7in FIB CVD, \u00fc\u00e7 boyutlu yap\u0131lar ve devreler olu\u015fturmak i\u00e7in metalik ve dielektrik malzemelerin kombinasyonlar\u0131n\u0131 \u00fcretmek i\u00e7in kullan\u0131lm\u0131\u015ft\u0131r.<\/span><\/p>\n

Ayr\u0131ca FIB CVD, entegre devreler (IC) end\u00fcstrisinde hatal\u0131 devreleri onarmak i\u00e7in kullan\u0131lmaktad\u0131r. FIB’nin hem i\u015fleme hem de biriktirme \u00f6zellikleri, IC onar\u0131mlar\u0131 i\u00e7in kullan\u0131l\u0131r. K\u0131sa devre durumunda, fazla malzeme bir FIB kullan\u0131larak giderilebilir. Yanl\u0131\u015f \u015fekillendirilmi\u015f elektrik kontaklar\u0131 durumunda, elektrik devrelerini ba\u011flamak i\u00e7in iletken izleri \u00e7izmek i\u00e7in FIB CVD kullan\u0131labilir.<\/span><\/p>\n

Elektron I\u015f\u0131n\u0131 CVD<\/span><\/strong><\/h3>\n

Elektron \u0131\u015f\u0131nlar\u0131, FIB CVD ve LCVD’ye benzer bir \u015fekilde CVD’yi ind\u00fcklemek i\u00e7in kullan\u0131labilir. Elektron \u0131\u015f\u0131n\u0131 CVD, lazer veya FIB CVD’den daha yava\u015ft\u0131r; ancak, FIB CVD ve elektron \u0131\u015f\u0131n\u0131 CVD’nin her ikisi de LCVD’den daha iyi \u00e7\u00f6z\u00fcn\u00fcrl\u00fc\u011fe sahiptir.<\/span><\/p>\n

S\u0131v\u0131 Fazl\u0131 Do\u011frudan Biriktirme<\/span><\/strong><\/p>\n

Yukar\u0131da a\u00e7\u0131klanan buhar tekniklerine benzer \u015fekilde, s\u0131v\u0131 fazdaki malzemeleri kat\u0131 malzemelere d\u00f6n\u00fc\u015ft\u00fcrmek i\u00e7in termal veya elektrik enerjisi kullan\u0131labilir. Bu termokimyasal ve elektrokimyasal teknikler, \u00f6nceden belirlenmi\u015f kat\u0131 malzeme modelleri olu\u015fturmak i\u00e7in lokalize bir \u015fekilde uygulanabilir.<\/span><\/p>\n

\u00dcniversite TermoKimyasal S\u0131v\u0131 Biriktirme (TCLD) kullanarak DW izleri i\u00e7in termokimyasal ara\u00e7lar\u0131n kullan\u0131m\u0131n\u0131 g\u00f6sterdi. TCLD’de, s\u0131v\u0131 reaktanlar s\u0131cak bir substrat \u00fczerine bir noz\u00fcl vas\u0131tas\u0131yla p\u00fcsk\u00fcrt\u00fcl\u00fcr. Reaktanlar, substrat \u00fczerinde kat\u0131 bir tortu olu\u015fturmak i\u00e7in s\u0131cak y\u00fczey \u00fczerinde termal olarak ayr\u0131\u015f\u0131r veya birbirleriyle reaksiyona girer.<\/span><\/p>\n

Memenin hareketi ve p\u00fcsk\u00fcrtme parametreleri kontrol edilerek, b\u0131rak\u0131lan malzemenin 3 boyutlu \u015fekli olu\u015fturulabilir. Bu, kavramsal olarak yukar\u0131da tart\u0131\u015f\u0131lan m\u00fcrekkep bazl\u0131 DW yakla\u015f\u0131mlar\u0131na benzer, ancak biriktirme s\u0131ras\u0131nda y\u00fcksek s\u0131cakl\u0131kta bir alt tabaka gerektirir.<\/span><\/p>\n

\n\n
<\/div>\n\n<\/div>\n \n